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emmi微光显微镜

微光显微镜（emission microscope， emmi）是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言，微光显微镜（emission microscope， emmi）是一种相当有用且效率---的分析工具。主要侦测ic内部所放出光子。在ic元件中，ehp（electron hole pairs）recombination会放出光子（photon）。如在p-n结加偏压，自动烧录厂家，此时n阱的电子很容易扩散到p阱，而p的空穴也容易扩散至n，然后与p端的空穴（或n端的电子）做ehp recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面，微光显微镜可分析p-n接面漏电；p-n接面崩溃；饱和区晶体管的热电子；氧化层漏电生的光子激发；l---h up、gate oxide defect、junction leakage、hot carriers effect、esd等问题.

侦测到亮点之情况；

会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应； 5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型层；5.硅导电通路等。

点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，这种情 况可采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及 抛光处理。