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侦测到亮点之情况；

会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应； 5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型层；5.硅导电通路等。

点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，这种情 况可采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，等离子开封机厂家，且需要减薄及 抛光处理。

emmi侦测的到亮点、---(hot spot)情况；原来就会有的亮点、---(hot spot)饱和区操作中的bjt或mos(saturated/active bipolar transistors /saturated mos)动态式cmos (dynamic cmos)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (forward biased diodes /reverse biased diodes breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(ohmic short / metal short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(buried juncti)金属线底下的漏电区(leakage sites under metal)





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