emmi侦测的到亮点、---(hot spot)情况；原来就会有的亮点、---(hot spot)饱和区操作中的bjt或mos(saturated/active bipolar transistors /saturated mos)动态式cmos (dynamic cmos)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (forward biased diodes /reverse biased diodes breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(ohmic short / metal short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(buried juncti)金属线底下的漏电区(leakage sites under metal)
微光显微镜是一种用于材料科学领域的分析仪器，于2016年04月16日启用。前部照明的1.4兆像素增强型近红外相机; 珀尔贴风冷到 -45摄氏度 可捕更广范围波长的近红外光显微镜 软件控制5波段照明。精细研磨。主要功能编辑 语音l 栅氧化层漏电l p-n 结漏电l 热电子效应l cmos闩锁效应l eos/esd 损伤l 饱和mos器件l 模拟mosfets。精细研磨设备价格。
微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（junction leakage）; 接触毛刺（contact spiking）; （热电子效应）hot electr;闩锁效应（ l---h-up）;氧化层漏电（ gate oxide defects / leakage(f-n current)）;多晶硅晶须（poly-silicon filaments）; 衬底损伤（substrate damage）; （物理损伤）mechanical damage等。原来就会有的亮点 - saturated/ active bipolar transistors; -saturated mos/dynamic cmos; forward biased diodes/reverse；biased diodes(break down) 等。
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