微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（junction leakage）; 接触毛刺（contact spiking）; （热电子效应）hot electr;闩锁效应（ l---h-up）;氧化层漏电（ gate oxide defects / leakage(f-n current)）;多晶硅晶须（poly-silicon filaments）; 衬底损伤（substrate damage）; （物理损伤）mechanical damage等。原来就会有的亮点 - saturated/ active bipolar transistors; -saturated mos/dynamic cmos; forward biased diodes/reverse；biased diodes(break down) 等。
芯片失效分析步骤:
1、非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（c-sam）--看有没delamination，粗糙度检测价格，xray--看内部结构，等等；
2、电测：主要工具，粗糙度检测报价，万用表，示波器， tek370a
3、破坏性分析：机械decap，化学 decap芯片开封机
4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析，孔洞气泡失效分析。
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无损检测技术--sam将scanning acoustic microscope(sam)用于ic的封装扫描检测，可以在不损伤封装的情况发现封装的内部缺陷。由于在很多时候不能打开封装来检查，即使打开很可能原来的缺陷已经被破坏。利用超声波的透射、反射特性可以---解决这个问题。超声波在不同介质中的传播速率不同。
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