




emmi可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流,包括闸极氧化层缺陷(gate oxide defects)、静电放电破坏(esd failure)、闩锁效应(l---h up)、漏电(leakage)、接面漏电(junction leakage) 、顺向偏压(forward bias)及在饱和区域操作的晶体管,可藉由emmi定位,找---(hot spot 或找亮点)位置,进而得知缺陷原因,帮助后续进一步的失效分析。

超声波显微镜在失效分析中的应用
晶圆面---层缺陷 锡球、晶圆、或填胶中的开裂晶圆的倾斜各种可能之孔洞(晶圆接合面、锡球、填胶…等)。超声波显微镜的在失效分析中的优势非破坏性、无损检测材料或ic芯片内部结构 可分层扫描、多层扫描 实施、直观的图像及分析 缺陷的测量及缺陷面积和数量统计 可显示材料内部的三维图像 对人体是没有伤害的 可检测各种缺陷(裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞等)

emmi微光显微镜
微光显微镜(emission microscope, emmi)是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言,通用烧录器设备,微光显微镜(emission microscope,通用烧录器, emmi)是一种相当有用且效率---的分析工具。主要侦测ic内部所放出光子。在ic元件中,ehp(electron hole pairs)recombination会放出光子(photon)。如在p-n结加偏压,此时n阱的电子很容易扩散到p阱,通用烧录器价格,而p的空穴也容易扩散至n,然后与p端的空穴(或n端的电子)做ehp recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面,微光显微镜可分析p-n接面漏电;p-n接面崩溃;饱和区晶体管的热电子;氧化层漏电生的光子激发;l---h up、gate oxide defect、junction leakage、hot carriers effect、esd等问题.
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