轮廓检测报价-舟山轮廓检测-特斯特

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    2024-3-9

宋作鹏
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emmi侦测的到亮点、---(hot spot)情况;原来就会有的亮点、---(hot spot)饱和区操作中的bjt或mos(saturated/active bipolar transistors /saturated mos)动态式cmos (dynamic cmos)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (forward biased diodes /reverse biased diodes breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(ohmic short / metal short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(buried juncti)金属线底下的漏电区(leakage sites under metal)





emmi微光显微镜

微光显微镜(emission microscope, emmi)是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言,微光显微镜(emission microscope,轮廓检测报价, emmi)是一种相当有用且效率---的分析工具。主要侦测ic内部所放出光子。在ic元件中,ehp(electron hole pairs)recombination会放出光子(photon)。如在p-n结加偏压,此时n阱的电子很容易扩散到p阱,而p的空穴也容易扩散至n,然后与p端的空穴(或n端的电子)做ehp recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面,微光显微镜可分析p-n接面漏电;p-n接面崩溃;饱和区晶体管的热电子;氧化层漏电生的光子激发;l---h up、gate oxide defect、junction leakage、hot carriers effect、esd等问题.






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