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微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（junction leakage）; 接触毛刺（contact spiking）; （热电子效应）hot electr;闩锁效应（ l---h-up）;氧化层漏电（ gate oxide defects / leakage(f-n current)）;多晶硅晶须（poly-silicon filaments）; 衬底损伤（substrate damage）; （物理损伤）mechanical damage等。原来就会有的亮点 - saturated/ active bipolar transistors; -saturated mos/dynamic cmos; forward biased diodes/reverse；biased diodes(break down) 等。





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