芯片失效分析步骤:
1、非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（c-sam）--看有没delamination，激光开封机，xray--看内部结构，等等；
2、电测：主要工具，化学开封机，万用表，示波器， tek370a
3、破坏性分析：机械decap，化学 decap芯片开封机
4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析，孔洞气泡失效分析。
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侦测到亮点之情况；
会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应； 5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型层；5.硅导电通路等。
点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，这种情 况可采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及 抛光处理。
微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（junction leakage）; 接触毛刺（contact spiking）; （热电子效应）hot electr;闩锁效应（ l---h-up）;氧化层漏电（ gate oxide defects / leakage(f-n current)）;多晶硅晶须（poly-silicon filaments）; 衬底损伤（substrate damage）; （物理损伤）mechanical damage等。原来就会有的亮点 - saturated/ active bipolar transistors; -saturated mos/dynamic cmos; forward biased diodes/reverse；biased diodes(break down) 等。
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